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金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“具有多孔部分的半导体器件、晶片复合体和制造半导体器件的方法”的专利，公开号 CN 118841319 A，申请日期为 2020年3月。
专利摘要显示，公开了具有多孔部分的半导体器件、晶片复合体和制造半导体器件的方法。一种半导体衬底(700)，包括基底部分(705)、辅助层(710)和表面层(720)。辅助层(710)形成在基底部分(705)上。表面层(720)形成在辅助层(710)上。表面层(720)与半导体衬底(700)的第一主表面(701)接触。辅助层(710)具有与基底部分(705)和表面层(720)不同的电化学溶解效率。辅助层(710)的至少一部分和表面层(720)的一部分被转换成多孔结构(820)。随后，在第一主表面(701)上形成外延层(730)。
本文源自金融界
