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金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，豪威科技（上海）有限公司申请一项名为“SOI图像传感器及其形成方法”的专利，公开号CN 118841423 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种SOI图像传感器及其形成方法，包括：提供含SOI衬底的像素晶圆，在埋氧层和体硅层中形成隔离单元；隔离单元包括深沟槽和浅沟槽隔离，深沟槽从埋氧层延伸至体硅层中，形成深沟槽后的像素晶圆高温下退火；深沟槽中填充有多晶硅层；将像素晶圆与逻辑晶圆键合；减薄后刻蚀去除多晶硅层；高K介质层填充深沟槽，形成深沟槽隔离。前段工艺(键合前)将像素晶圆在高温下退火，修复刻蚀损伤，减少白像素。高K介质层在键合后形成，避免被前段工艺高温损伤。高K介质层与体硅层折射率相差较大，深沟槽隔离能在相邻像素单元之间起到很好的光学和电学隔离作用，有效防止相邻像素单元之间的电学和光学串扰，提高了满阱容量。
本文源自金融界
